一.电磁干扰EMI问题：
目前厂内常用到的CPU的RADIATION发射普遍比较高.特别是用到较高BUS频率的HC08系列，如厂内使用的MR32及GP32。CPU辐射成了EMI的瓶颈。
二.PLL部分
PLL锁相环是将晶振倍频升成BUS工作频率的方块，内部方块图见右图。由于为CPU内高频部分，它发射了大量的NOISE，我们可以探测到其发射的途径有两个：
（1）CPUPLL方块的自身对外辐射。
（2）通过与PLL连接的TRACE形成的天线对外发射。
此部分的NOISE的特征为尖峰间隔等于内部BUS频率
7.35MHZ见下图。
INVERTER CNTL中MR32的
RADIATION干扰
改善对策：
1.加强PLL外接的TRACE的去藕，将CGM方块单独的电源VDDA和VSSA的去藕贴片电容104移近CPU PIN脚以减少对TRACE的干扰，
2.晶振移近CPU以减少发射天线.
改善前后效果对比
读数对比
三.长发射天线发射能力的抑制
在应用中，我们尽量减短与CPU相连的TRACE（发射天线）的长度，使其小于入/4，实际在51151U中，开机排线较长，其远端离CPU为340MM.并且拔掉排线后辐射图上有一频段有明显下降.
219MHz为干扰频段中心：
入/4=0.25*1/219MHz=342MM与原端距离相符。
排线天线发射抑制前的RADIATION
排线发射改善：
在开机10P排线的两端各PIN对GND加102贴片电容，旁路排线上的共模电压。
加电容抑制长天线发射后效果
四：高频传输线反射及过激的抑制
GP32在51151U应用中，有一PIN脚作为SIN.pwm输出，其频率为7.6KHZ，我们发现其传输信号上有由于阻抗匹配问题导致过激震荡现象，此过激震荡引发EMI发射。
目前使用的CPU为CMOS工艺，上拉和下拉电阻都为600HM左右，但仍小于PCB TRACE的Zo（几百OHM左右），在负载阻抗大时仍会产生反射震荡。
有过激现象时的RADIATION
反射改善
通过AC阻抗匹配（适用于周期出现的信号），在靠近CPU PIN脚加入RC网络（R=Zo，C=102），可以很好地消除过激，如下图。
实际测试中，发现去掉R也有相似的效果，故终采用102消除过激。
改善后EMI图形
电磁干扰EMI设计结论：
1.通过对电源的正确去藕处理，及晶振部分的合理布线，可得到事半功倍的效果。
2.尽量减少长走线，避免形成强发射天线。
3.周期高频信号线注意阻抗匹配，尽量避免走贯孔，形成阻抗断点从而造成反射。
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