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      在EMC设计中,电容是应用广泛的元件之一,主要用于构成各种低通滤波器或用作去耦电容和旁路电容。大量实践表明:在EMC设计中,恰当选择与使用电容,不仅可解决许多EMI问题,而且能充分体现效果良好、价格低廉、使用方便的优点。若电容的选择或使用当,则可能根本达不到预期的目的,甚至会加刷EMT程度。


      本文根据EMC设计原理和不同结构电容的特点,结合相关研究的新进展,针对电容在EMC设计中的一些不恰当的认识与做法,讨论了电容在EMC设计中的应用技巧,对EIC设计具有指导作用。

EMC设计

1、滤波器结构的选择
      EMC设计中的滤波器通常指由1,C构成的低通泌波器。不同结构的滤波器的主要区别之一,是其中的电容与电感的联接方式不同。滤波器的有效性不仅与其结构有关,而且还与连接的网络的阻抗有关。如单个电容的滤波器在高阻抗电路中效果很好,而在低阻抗电路中效果很差。


      传统上,在滤波器两端的端接阻抗为50欧姆的条件下描述滤波器的特性(这一点往往未被注意),因为这样测试方便,并且是符合射频标准的。

      但是,实践中源阻抗Zs和负载阻抗Zi很复杂,并且在要抑制的频率点上可能是未知的。如果滤波器的一端或两端与电抗性元件相联结,则可能会产生谐振,使某些频率点的插入损耗变为插入增益。


      可见,正确选择滤波器的钻构至关重要。究竟是选择电容、电感还是两者的组合,是由所谓的”大不匹配原则“决定的。简言之,在任何滤波器中,电容两端存在高阻抗,电感两端存在低阻抗。图1是利用大不匹配原则得到的滤波器的结构与Z5和ZL.的配合关系。每种情形给出了2种结构及相应的衰减斜率(n表示滤波器中电容元件和电感元件的总数)。


滤波器的结构与Zs和Z.的配合关系
滤波器的结构与Zs和Z.的配合关系


但是,如何判定2,和乙的值是高或低,一些资料上并未作具体说明[1,2],实践中也往往不清楚。
Zs和1.的所谓的高值或低值的临界选取有一定的随机性,选取50n作为边界值是比较合适的。顺便指出,在电子电路中,因信号一般较弱,而RC低通滤波器对信号有一定的衰减,故很少使用。


2、自谐振频率与载止须率
2.1去相电容的自谐振频率
实际的电容都有寄生电感Ls,Ls的大小基本上取决于引线的长度,对圆形、导线类型的引线,上’的典型值为10mH/cm[3]。典型的陶瓷电容的引线约有6mm长,会引入约15mll的电感””,引线电感也可由下式估算[4]:

公式


其中:/和r分别为引线的长度和半径。
寄生电感会与电容产生串联谐振,即自谐振,在自谐振频率fo处,去耦电容呈现的阻抗小,去耦效果好。
但对须率f高于f/o的噪声成份,去耦电容呈电感性,阻抗随频率的升高而变大,使去耦或旁路作用大大下降。实践中,应根据噪声的高频率faax 来选择去根电容的自谐振频率f0,佳取值为fo=fmmx。


      但是,一些资料上只是从电容的寄生电感的角度给出了自诺舔频率fo的资料。实际上,去根电容的自谐振频率不仅与电容的寄生电感有关,而且还与过孔的寄生电感[5]、联结去耦电容与芯片电源正负极引脚的印制导线的寄生电感[6.7]等都有关系。如果不注意这一点,查得的资料或自己的估算往往与实际情况相去甚远。


实践中,一般是先确定去耦电容的钻构(电容的寄生电感与其钻构关系密切),再用试验的方法确定容量。


2.2电源滤波器的钓自谐振频率
      在交流电源进线与电源变压器之间设置电测滤波器是抗EMI的常用措施之一。常用的电源滤波器如图2所示。人们一般对去耦电容的自谐振须率问题比较注意,实际上电源滤波器也有自谐振频率问题,处理不当,同样达不到预期的目的。


对图2所示的滤波器,分析可知,当电感的电阻rL很小时,自谐振频率分别为:

自谐振频率

自谐振频率(图)

设计电源滤波器时,必须使滤波器的自谐振频率远小于噪声频率。处理不当,不仅不能衰减噪声,反而会放大确声。


      例如[8]图2(a)所示的滤波器,如果取1=lalH,rl.=l歌婷,C=0.47uF(这也是许多资料上推荐的参数),可算出f0=5.2kHz。而EMC测试中的快速脉冲群频率为5.0klHz(2kV)或2.5kHz(4kY),5.0kHz刚好谐据,2.5kHz也不会被衰诚,如图3所示。这说明滤波器中元件参数选取不当,可能根本起不到提高EWC性能的作用。

电源滤波器

图2:电源滤波器



滤波器的幅频特性

3、电容结构的选择
      从理论上讲.电容的容量越大,容抗就越小,滤波效果就越好。一些人也有这种习惯认识。但是,容量大的电容一般寄生电感也大,自谐振须率低(如典型的陶瓷电容,0.1uF的fo=5MHz,0.0lulF的fo=15Mlz,0.00luF的fO=50MHz),对高频噪声的去耦效果差,甚至根本起不到去耦作用。分立元件的滤波器在频辛超过10MHz时,将开始失去性能。元件的物理尺寸越大,转折点频幸越低。这些问恩可以过选择特殊结构的电容来解决。


      贴片电容的寄生电惑几乎为零,总的电够也可以减小到元件本身的电感、通常只是传统电容寄生电感的1/3~1/5,自谐振须率可达同样容量的带引线电容的2倍(也有资料说可达l0倍),是射频应用的理想选择。传统上,射频应用一般选择瓷片电容。但在实践中,超小型聚脂或聚苯乙烯薄膜电容也是适用的,因为他们的尺寸与瓷片电容相当。


      三端电容能将小瓷片电容频率范围从50Hz以下拓展到200Mlz以上,这对抑制VHF频段的噪声是很有用的。要在VMIF或更高的频段获得更好的滤波效果,特别是保护屏蔽体不被穿透,必须使用馈通电容。


4、电容容量的选择
在数字系统中,去耦电容的容量通常按下式估算:

估算

其中:/x1为瞬变电流;AN为逻辑器件允许的电源电压变

电源电压变

此外。当电源引线比较长时,瞬变电流会引起较大的压降,此时就要加容纳电容以维持器件要求的电压值。


5、去根电容的安装方式与PCB设计
      安装去耦电容时,一般都知道使电容的引线尽可能短。但是,实践中往往受到安装条件的限剑,电容的引线不可能取得很短。况且,电容引线的寄生电感只是影响目谐振须率的因素之一,自诺振频率还与过孔的寄生电感、相关印制导线的寄生电感等因素有关。一味地追求引线短,不仅困难。而且根本达不到目的。


      这说明要保证去耦效果,在PCB设计时,就要考虑相关问题。设计印制导线时,应使去耦电容距离芯片电源正负楼引厕尽可能近(当然电容引线要尽可能短)。设计过孔时应尽量减小过孔的寄生电感。


6、结语
      人们不断纠正或放弃电容在EWC设计中的一些传统认识与做法。电容在EC设计中的作用大小与多种因素有关,已其中的很多因素一直在不断的研究与变化中。所以,要充分发挥电容在EC设计中的作用,及时了解相关研究的新进展,及时采用新技术,是非常重要的。


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